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Vishay MOSFET de potencia, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines, Corriente conti…
Vishay MOSFET de potencia, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines, Corriente continua máxima de drenaje (ld): 12A, Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds): 30V, Serie: TrenchFET, Tipo de montaje: Superficie, Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds): 0.038Ω, Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs: 23.1nC, Disipación de potencia máxima (Pd): 19W, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55°C, Tensión directa (Vf): -0.8V, Tensión máxima de la fuente de la puerta: 12 V, MPN: SIA449DJ-T1-GE3