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Infineon MOSFET, Tipo N-Canal, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines, Corriente continua m…
Infineon MOSFET, Tipo N-Canal, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines, Corriente continua máxima de drenaje (ld): 50A, Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds): 200V, Serie: HEXFET, Tipo de montaje: Orificio pasante, Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds): 40mΩ, Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs: 234nC, Disipación de potencia máxima (Pd): 300W, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55°C, Tensión directa (Vf): 1.3V, Tensión máxima de la fuente de la puerta: 20 V, MPN: IRFP260MPBF